鍍銀早始于l800年，個(gè)鍍銀的專(zhuān)利是1838年由英國(guó)伯明翰的Elkington兄弟提出的，所用的鍍液為堿性氰化物鍍液，與他們發(fā)明的堿性氰化物鍍黃金體系很類(lèi)似。一個(gè)多世紀(jì)以來(lái)，鍍銀液的基本配方和當(dāng)年的配方差別不大，僅僅是提高了銀配位離子濃度以達(dá)到快速鍍銀的目的而已。氰系鍍液過(guò)去的主要缺點(diǎn)是使用的電流密度小，現(xiàn)在這個(gè)問(wèn)題也解決了，鍍銀使電流密度可高達(dá)10A/dm，光亮鍍銀可達(dá)1.5～3A/dm，其鍍面光滑而無(wú)需再打光，也可鍍厚。近年來(lái)快速發(fā)展起來(lái)的電子元器件的高速選擇性鍍銀，如引線框架的選擇性鍍銀，采用噴射鍍的方法。所用的電流密度高達(dá)300～3000A/dm，鍍液中氰化銀鉀[KAg(CN)2]的濃度 也高達(dá)40～75g/L，陽(yáng)極采用白金或鍍鉑的鈦陽(yáng)極，這樣在1s內(nèi)即可鍍上約4～5μm的銀層，它已能滿足硅芯片和銀焊墊之間用鋁線來(lái)鍵合(Bonding)。

用二硫化碳做光亮劑并不能得到全光亮的銀層，且加入鍍液后要等一段時(shí)間才會(huì)發(fā)生作用，估計(jì)真正的光亮劑是二硫化碳與鍍液中的CN一反應(yīng)生成的取代尿素、硫脲、胍、硫化物、氰胺化物(cyanamide)及其他種硫化物中的某些化合物。