氧化鈰拋光液 氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。 適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。

這兩個概念主要出半導體加工過程中，初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

CMP技術還廣泛的應用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術（如：基于淀積技術的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術，不能做到全局平面化，而化學機械拋光技術解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術。

乳化蠟用作皮革光亮劑、消光劑和手感劑等 人們對皮革制品的外觀有兩大類要求，一是增加皮革光澤， 如打光革、漆革、拋光效應革等；另一種是不要光澤感，使皮革呈現感、自然美。前者需要用到光亮劑，后者需要用到消光劑。選用不同的蠟乳液用于皮革頂層涂飾時，有的可增加皮革光澤感或光亮度，有的可產生消光作用呈現風韻。產生光亮作用的蠟乳液粒徑要求很小，組成比較單一，在皮革表層形成一層均相且連續(xù)的蠟的薄膜，微觀上薄膜很平滑，對光波產生較強烈的反射作用，從而具有光澤感；產生消光作用的蠟乳液粒徑較大，在皮革表面形成一種非均相且微觀上不平整的表面，對光波產生強烈的散射作用，散射作用是消光劑產生消光作用的根本原因。