硅片加工工藝過程 單晶硅回收

多晶硅長晶法即長成單晶硅棒法有兩種：直拉法和浮融法。其中直拉法直拉法占了約85%。

切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率、含氧量。

外徑磨削：由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大，通過外徑滾磨可以獲得較為的直徑。

切片：指將單晶硅棒切成具有幾何尺寸的薄晶片。

倒角：指將切割成的晶片銳利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生。

研磨：指通過研磨除去切片和輪磨所造成的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶硅片的翹曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規(guī)格。

腐蝕：指經切片及研磨等機械加工后，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常采用化學腐蝕去除。

拋光：指單晶硅片表面需要改善微缺陷，從而獲得平坦度、極小表面粗糙度值的晶片表面，并要求表面無變質層、無劃傷的加工工藝。

太陽能組件回收 太陽能電池板的使用變得很普遍，這種設備在進行使用前需要進行測試，才能保證設備的良好功能得以發(fā)揮，測試的方法想必大家還不是特別的了解，下面這篇文章為大家詳解：

測試方法：

一、由于太陽能電池板組件的輸出功率取決于太陽輻照度和太陽能電池溫度等因素，因此電池組件的測量在標準條件下（STC）進行，標準條件定義為：大氣質量AM1.5，光照強度1000W/m2，溫度25℃；

二、開路電壓：用500W的鹵鎢燈，0～250V的交流變壓器，光強設定為3.8~4.0萬LUX，燈與測試平臺的距離大約為15-20CM，直接測試值為開路電壓；

三、在以上條件下，電池組件所輸出的功率稱為峰值功率，在很多情況下，組件的峰值功率通常用太陽能模擬儀測定，按標準規(guī)格進行測定。

太陽能電池板組件的測試方法是這種產品進行使用前必須要了解的，只有設備測試調試好了，才能保證設備的良好運行，才能避免以后的使用中出現(xiàn)設備的故障，希望文中講解的內容對大家的操作使用有幫助。

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