靶材的主要性能要求:純度純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。

不過在實際應(yīng)用中，對靶材的純度要求也不盡相同。

例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質(zhì)含量靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。

不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。

靶材的主要性能要求:純度純度是靶材的主要性能指標之一，因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。

不過在實際應(yīng)用中，對靶材的純度要求也不盡相同。

例如，隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展，硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求，而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質(zhì)含量靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。

不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。

例如，半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材，對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。