多晶金剛石拋光液多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質產(chǎn)生劃傷。主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

氧化硅拋光液氧化硅拋光液（CMP拋光液）是以高純硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光，如：硅晶圓片、鍺片、化合物半導體材料砷化鎵、磷化銦，精密光學器件、藍寶石片等的拋光加工。

氧化鈰拋光液

氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。

適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。

使用方法：

1） 先將水磨石地面沙粒，灰塵，蠟質及其他涂層清除干凈，水磨石地面需翻新到2000＃以上，然后沖洗地面，吸干或刮干水分，并充分干燥地面。

2） 再將晶面劑按每平方8-15克的用量噴灑于地面，每次處理面積以1-2平方米為佳，配合專業(yè)翻新晶面機及合適的重壓，采用鋼絲墊、紅墊或納米墊將之均勻涂開，打磨至通透晶亮效果。

3） 日常保養(yǎng)，建議用PH值在5-7范圍的中性清潔劑清洗，或使用清水清洗。