依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。

（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

氧化鈰拋光液氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。氧化鋁和碳化硅拋光液是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。主要用于高精密光學儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光

氧化鈰拋光液

氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。

適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。

大理石防護晶面拋光液 大理石加光加硬劑是針對大理石表面需追求超高亮度而設計，具有的滲透性和擴散力，能滲入到大理石基料的分子間隙。加光劑內含溶劑性硬蠟，以及對大理石沒有腐蝕的微酸性，擁有去污、加硬、加光、防滑四大功能，經打磨產生化學反應，可迅速提升大理石地面的光澤度，令石材保持光潔如新的鏡面效果。

使用方法：

1） 先將水磨石地面沙粒，灰塵，蠟質及其他涂層清除干凈，水磨石地面需翻新到2000＃以上，然后沖洗地面，吸干或刮干水分，并充分干燥地面。

2） 再將晶面劑按每平方8-15克的用量噴灑于地面，每次處理面積以1-2平方米為佳，配合專業(yè)翻新晶面機及合適的重壓，采用鋼絲墊、紅墊或納米墊將之均勻涂開，打磨至通透晶亮效果。

3） 日常保養(yǎng)，建議用PH值在5-7范圍的中性清潔劑清洗，或使用清水清洗。