多晶金剛石研磨液是利用多晶金剛石良好的韌性制成的研磨液，在研磨拋光過程中能夠保持高磨削力的同時不易產(chǎn)生劃傷，為后續(xù)精密拋光加工提供了良好的條件。廣泛用于光學(xué)晶體、陶瓷、超硬合金等各種硬質(zhì)材料的研磨和拋光。

半導(dǎo)體行業(yè)

CMP技術(shù)還廣泛的應(yīng)用于集成電路(IC)和超大規(guī)模集成電路中(ULSI)對基體材料硅晶片的拋光。隨著半導(dǎo)體工業(yè)的急速發(fā)展，對拋光技術(shù)提出了新的要求，傳統(tǒng)的拋光技術(shù)（如：基于淀積技術(shù)的選擇淀積、濺射等）雖然也可以提供“光滑”的表面，但卻都是局部平面化技術(shù)，不能做到全局平面化，而化學(xué)機械拋光技術(shù)解決了這個問題，它是可以在整個硅圓晶片上平坦化的工藝技術(shù)。

LED芯片主要采用的襯底材料是藍(lán)寶石，在加工過程中需要對其進(jìn)行減薄和拋光。藍(lán)寶石的硬度，普通磨料難以對其進(jìn)行加工。在用金剛石研磨液對藍(lán)寶石襯底表面進(jìn)行減薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的劃痕。

氧化鈰拋光液

氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細(xì)、粒度分布均勻、硬度適中等特點。

適用于高精密光學(xué)儀器，光學(xué)鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。