銦在地殼中的分布量比較小，又很分散。它的富礦還沒有發(fā)現(xiàn)過，只是在鋅和其他一些金屬礦中作為雜質存在，因此它被列入稀有金屬。 [3]

已知銦礦物有硫銦銅礦（CuInS2）、硫銦鐵礦（FeInS4）和水銦礦等。銦主要呈類質同象存在于鐵閃鋅礦、赤鐵礦、方鉛礦以及其他多金屬硫化物礦石中。此外，錫石、黑鎢礦、普通角閃石中也含銦。工業(yè)上，銦的主要來源為閃鋅礦（含銦0.0001～0.1%），在鉛鋅礦冶煉過程中作為副產(chǎn)品回收，錫冶煉也回收銦。

金屬幾乎可以無限制地回收，因此，金屬回收給環(huán)境保護、能源和水的利用帶來了一個非常重要的機遇，并為向低碳、資源節(jié)約型的綠色經(jīng)濟過渡做出貢獻。然而，受到工藝和回收成本的影響，金屬回收率仍維持在較低的水平。

鎵和銦合金合成液態(tài)金屬，形成一種固溶合金，在室溫下就可以成為液態(tài)，表面張力為每米500毫牛頓。這意味著，在不受外力情況下，當這種合金被放在平坦桌面上時會保持一個幾乎完美的圓球不變。當通過少量電流刺激后，球體表面張力會降低，金屬會在桌面上伸展。如果電荷從負轉正，液態(tài)金屬就會重新成為球狀。更改電壓大小還可以調(diào)整金屬表面張力和金屬塊粘度，從而令其變?yōu)椴煌Y構。銦在地殼中的分布量比較小，又很分散。它的富礦還沒有發(fā)現(xiàn)過，只是在鋅和其他一些金屬礦中作為雜質存在，因此它被列入稀有金屬。

砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應用。用砷化鎵制成的半導體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優(yōu)點。此外，還可以用于制作轉移器件──體效應器件。砷化鎵是半導體材料中，兼具多方面優(yōu)點的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學配比的高純的單晶材料，技術上要求比較高。