單晶硅片目前的厚度普遍爲186微米或許192微米；而多晶硅片的厚度普遍爲200微米，金剛線切割以后有利于薄片化，所以1kg準方錠金剛線的出片量目前爲65片（隆基股份明年導入50微米線以后會更進一步提升至70張），而多晶爲59片（出片量數(shù)據(jù)均包括B片）。

由于單晶的“長晶”本錢更高，因此更細的金剛線帶來的出片量的提升清楚更有利于單晶硅片的本錢降低，所以我們?nèi)缃窨吹降木褪牵簡尉髽I(yè)普遍愈加積極的運用60微米的金剛線，甚至在積極爲明年導入50微米的金剛線做預備，而多晶硅片企業(yè)當前則普遍滿足于70微米線，這面前就是和長晶本錢的不同有關。

單晶硅在太陽能電池中得到廣泛的應用。高純的單晶硅是重要的半導體材料，在光伏技術和微小型半導體逆變器技術飛速發(fā)展的今天，利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽能電池可以直接把太陽能轉(zhuǎn)化為光能，實現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始。單晶硅太陽能電池的特點：1.光電轉(zhuǎn)換效率高，可靠性高； 2.先進的擴散技術，保證片內(nèi)各處轉(zhuǎn)換效率的均勻性； 3.運用先進的PECVD成膜技術，在電池表面鍍上深藍色的氮化硅減反射膜，顏色均勻美觀； 4.應用高品質(zhì)的金屬漿料制作背場和電極，確保良好的導電性。

單晶硅廣闊的應用領域和良好的發(fā)展前景北京2008年奧運會將把“綠色奧運”做為重要展示面向全世界展現(xiàn)，單晶硅的利用在其中將是非常重要的一環(huán)。現(xiàn)在，國外的太陽能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段，正在向?qū)嶋H應用階段過渡，太陽能硅單晶的利用將是普及到全世界范圍，市場需求量不言而喻。

單晶硅主要用于制作半導體元件。

用途： 是制造半導體硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關器件等

熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。

單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅，然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。

單晶硅棒是生產(chǎn)單晶硅片的原材料，隨著國內(nèi)和國際市場對單晶硅片需求量的快速增加，單晶硅棒的市場需求也呈快速增長的趨勢。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片對材料和技術的要求也越高。單晶硅按晶體伸長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長單晶硅棒材，外延法伸長單晶硅薄膜。直拉法伸長的單晶硅主要用于半導體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。區(qū)熔法單晶主要用于高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用于大功率輸變電、電力機車、整流、變頻、機電一體化、節(jié)能燈、電視機等系列產(chǎn)品。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成電路領域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直徑越大，技術要求越高，越有市場前景，價值也就越高。