單晶硅按晶體伸長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法伸長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法伸長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法伸長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。晶體直徑可控制在Φ3~8英寸。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）單晶硅材料應(yīng)用廣。在IC工業(yè)中所用的材料主要是CZ拋光片和外延片。存儲(chǔ)器電路通常使用CZ拋光片，因成本較低。邏輯電路一般使用價(jià)格較高的外延片，因其在IC制造中有更好的適用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直徑越大，技術(shù)要求越高，越有市場(chǎng)前景，價(jià)值也就越高。

清潔、持續(xù)可利用的能源的研究已經(jīng)引起了大家的重視。那么太陽(yáng)能作為一種取之不盡、用之不竭的新型清潔能源，它的開(kāi)發(fā)與利用也已經(jīng)引起全人類(lèi)的廣泛關(guān)注。太陽(yáng)能電池作為太陽(yáng)能的可利用形式之一，正在投入到大量的開(kāi)發(fā)研究之中。

目前硅片的生產(chǎn)已經(jīng)采用多線(xiàn)鋸切割方法，可以生產(chǎn)出面積較大（25cm×25 cm）而厚度又相對(duì)較薄的硅片，但是在此方法的操作過(guò)程中，金屬絲要受到多種力的激勵(lì)，還要受到機(jī)械結(jié)構(gòu)的影響，就不可避免的在切割過(guò)程中產(chǎn)生變形與振動(dòng)，瞬間性的沖擊就會(huì)作用在切割的硅片上。