供IGBT使用的驅(qū)動電路形式多種多樣 ,各自的功能也不盡相同。從綜合的觀點看 ,還沒有一種十全十美的電路。從電路隔離方式看，IGBT驅(qū)動器可分成兩大類,一類采用光電耦合器,另一類采用脈沖變壓器,兩者均可實現(xiàn)信號的傳輸及電路的隔離。

提供適當?shù)恼聪螂妷海笽GBT能可靠地開通和關(guān)斷。當正偏壓增大時IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，但若ce過大，則負載短路時其c隨ce增大而增大，對其不利，使用中選GE《15V為好。負偏電壓可防止由于關(guān)斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通，一般選UGE -- 5V為宜。

IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。

IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復合器件，既有MOSFET易驅(qū)動的優(yōu)點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應連接與之匹配的驅(qū)動電路。