通過高低溫試驗(yàn)箱模擬環(huán)境溫度變化提高電子元器件環(huán)境溫度、濕度、溫度循環(huán)等適應(yīng)能力，加速元器件中可能發(fā)生或存在的化學(xué)反應(yīng)（如由水蒸汽或其他離子所引起的腐蝕作用，表面泄漏、污染以及金-鋁金屬化合物的產(chǎn)生等），提前消除潛在缺陷。

電子元器件的許多故障是由于體內(nèi)和表面的各種物理化學(xué)變化引起的。當(dāng)環(huán)境溫度升高后，化學(xué)反應(yīng)速率大大加快，故障過程也得到加速。有缺陷的元器件就會暴露。

高溫儲存試驗(yàn)對表面污染、引線鍵合不良和氧化層缺陷有很好的篩選作用。