氧化銦是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有良好的光學(xué)透明性，而氧化錫的引入則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時(shí)也具有低電阻率，兼具光學(xué)和電學(xué)性能。ITO靶材的這一獨(dú)特特性使其成為透明導(dǎo)電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。

回收1噸銦可減少50噸原礦開(kāi)采，成本降低30%~50%。高純銦需求穩(wěn)定，半導(dǎo)體和光伏領(lǐng)域推動(dòng)回收緊迫性。濕法、火法冶金等技術(shù)靈活適配不同廢料，實(shí)現(xiàn)資源可持續(xù)利用。

ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達(dá)90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽(yáng)能電池等光電設(shè)備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電導(dǎo)率高，確保了設(shè)備的運(yùn)行。

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