物理性質

熔點與沸點：熔點為 156.6 ℃，沸點為 2075 ℃。

可塑性與延展性：具有優(yōu)良的可塑性、延展性，能夠無限制任意變形、壓成極薄的金屬片。

導電性與導熱性：導電性約為銅的 1/5，熱膨脹系數幾乎超過銅的一倍。

其他：在氫氣或真空中加熱銦會發(fā)生升華，熔化的銦能夠潤濕干凈的玻璃，還具有超導性能、潤滑性能、耐磨性能、光透性。

化學性質

與單質反應：銦在空氣中穩(wěn)定，加熱到熔點以上會氧化成 In?O?；能與硫在高溫加熱的條件下反應，生成 InS 或 In?S?；室溫下能與氟、氯、溴反應生成 InF?、InCl?、InBr?，加熱條件下與碘蒸氣發(fā)生反應；能與氮氣在高溫下反應；也能與釷、鈮、鉑等金屬發(fā)生反應。

與無機化合物反應：銦能與鹽酸、稀高氯酸、稀硝酸等反應生成對應的鹽和氫氣，與濃硝酸在加熱的條件下反應生成硝酸銦、二氧化氮和水；能與過量的氫氧化鈉、氫氧化鉀反應；還能與氯化銦、溴化汞、硫化銦、三氧化銦等鹵化物發(fā)生反應。

與有機化合物反應：銦能與烷基氯、烷基溴、烷基碘以及十羰基合二錳等有機化合物反應。

半導體材料

化合物半導體：

磷化銦（InP）：用于制造 5G 基站的射頻器件、激光雷達（LiDAR）的發(fā)射器、光纖通信中的激光器和探測器，是光電子和高頻電子領域的核心材料。

砷化銦（InAs）、銻化銦（InSb）：用于紅外探測器、量子計算元件和高速集成電路。

集成電路封裝：

銦焊料（如銦 - 錫合金）因低熔點（約 156℃）、高可靠性和抗腐蝕性，用于芯片與基板的連接（如倒裝芯片技術），尤其在航空航天和軍工領域不可替代。

半導體與微電子工業(yè)

化合物半導體材料

磷化銦（InP）單晶襯底：

精銦是制備 InP 晶圓的核心原料，用于生產 5G 基站的射頻芯片（如 HEMTs 高電子遷移率晶體管）、光纖通信的激光器（如 1.55μm 波段 DFB 激光器）和量子點發(fā)光器件（QLED）。

應用場景：5G 通信、數據中心光模塊、自動駕駛激光雷達（LiDAR）。

砷化銦（InAs）/ 銻化銦（InSb）：

用于紅外探測器（如軍用夜視儀、衛(wèi)星熱成像）和拓撲量子計算元件。