純化技術(shù)

區(qū)熔法：一種通過(guò)熔化和重新結(jié)晶來(lái)純化材料的方法，可有效去除銦中的雜質(zhì)，提高其純度。

電解精煉：利用電化學(xué)反應(yīng)將銦從雜質(zhì)中分離出來(lái)。將銦材料作為陽(yáng)極，置于電解液中，通過(guò)施加電流使銦離子在陰極上沉積，從而得到高純度的銦。

化學(xué)純化：利用化學(xué)反應(yīng)去除銦中的雜質(zhì)，例如通過(guò)溶劑萃取和化學(xué)沉淀等方法，可有效分離和去除雜質(zhì)，提高銦的純度。

光伏領(lǐng)域：在薄膜太陽(yáng)能電池中，銦靶材可作為光吸收層形成用的濺射靶，如 Cu-In-Ga-Se 系（CIGS 系）薄膜太陽(yáng)能電池，有助于提高太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。

薄膜太陽(yáng)能電池

主流技術(shù)：用于銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽(yáng)能電池的濺射鍍膜，作為光吸收層（In-Ga-Se 合金）的核心材料。

優(yōu)勢(shì)：CIGS 電池的光電轉(zhuǎn)換效率超過(guò) 23%，銦靶的純度直接影響電池的開(kāi)路電壓和填充因子。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過(guò)高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過(guò)熱導(dǎo)致靶材熔融或飛濺（銦熔點(diǎn)僅 156.6℃，過(guò)熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當(dāng)提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過(guò)程中靶材溫度低于 80℃（高溫會(huì)導(dǎo)致銦原子擴(kuò)散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導(dǎo)致靶材變形或脫靶。