物理特性：銦靶材呈銀色光澤的灰色，熔點(diǎn)為 156.61℃，沸點(diǎn) 2060℃，密度 7.3 g/cm3。質(zhì)地非常軟，能用指甲刻痕，可塑性強(qiáng)，有良好的延展性，可壓成片。

化學(xué)特性：銦具有較好的化學(xué)穩(wěn)定性，但在一些特定的環(huán)境下，如高溫、強(qiáng)酸堿等條件下，可能會發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。銦化合物在真空下蒸發(fā)，能夠在電子產(chǎn)品和光伏電池生產(chǎn)中形成薄膜。

化合物半導(dǎo)體器件

場景：用于制造銦鎵砷（InGaAs）、銦磷（InP）等化合物半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用于 5G 通信基站、雷達(dá)、光纖通信等高頻電子設(shè)備。

作用：提升器件的高頻性能和可靠性，是 5G 毫米波芯片的核心材料之一。

存儲環(huán)境控制

溫濕度：存儲于干燥、恒溫環(huán)境（溫度 15~25℃，濕度≤40% RH），避免銦靶吸潮氧化（銦在潮濕空氣中易生成 In?O?薄膜，影響濺射效率）。

防塵防潮：用鋁箔或真空袋密封包裝，存放于潔凈柜中，防止灰塵附著或與其他化學(xué)物質(zhì)接觸。

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