氧化銦是一種寬禁帶半導(dǎo)體,具有良好的光學(xué)透明性,而氧化錫的引入則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率,兼具光學(xué)和電學(xué)性能。ITO靶材的這一獨(dú)特特性使其成為透明導(dǎo)電膜的主流材料,尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。
溶劑萃取法(化學(xué)法)
以濕法冶金為基礎(chǔ),通過P204萃取劑選擇性富集銦:
含銦物料經(jīng)硫酸浸出后,在pH=1.5-2.0條件下進(jìn)行三級逆流萃取,銦萃取率可達(dá)98%。
該工藝對低品位原料(含銦0.02%)適用性強(qiáng),但存在試劑消耗大(硫酸用量2-3噸/噸銦)、廢水處理成本高的問題。
多種類回收技術(shù)如濕法冶金、火法冶金和物理分離法,提供了靈活的回收方式以適應(yīng)不同的廢物類型和規(guī)模需求。濕法冶金回收中,酸浸法通過使用鹽酸或硫酸來溶解ITO廢料,使得銦以In3?的形式進(jìn)入溶液。隨后,可以利用溶劑萃取、置換反應(yīng)(例如,使用鋅粉進(jìn)行置換)或電解法來進(jìn)一步回收銦。生物浸出法利用特定的微生物,如硫氧化,來選擇性溶解銦。雖然這種方法環(huán)保,但目前其效率相對較低,仍處在研究階段?;鸱ㄒ苯鸹厥罩?,高溫熔煉將含銦廢料與還原劑(例如焦炭)一同進(jìn)行高溫熔煉。在熔煉過程中,銦會富集在煙塵或熔渣中,隨后需要進(jìn)一步的二次處理來進(jìn)行提純。這種方法適用于大規(guī)模的回收操作,但能耗相對較高。
ITO靶材,即銦錫氧化物靶材,主要由氧化銦(In?O?)和氧化錫(SnO?)組成,其中氧化銦占比高達(dá)90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和高透光性,成為液晶顯示器(LCD)、觸摸屏及太陽能電池等光電設(shè)備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,電導(dǎo)率高,確保了設(shè)備的運(yùn)行。