氧化銦是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有良好的光學(xué)透明性，而氧化錫的引入則增強(qiáng)了材料的導(dǎo)電性。這種成分結(jié)構(gòu)使得ITO材料在保證高透光率的同時也具有低電阻率，兼具光學(xué)和電學(xué)性能。ITO靶材的這一獨(dú)特特性使其成為透明導(dǎo)電膜的主流材料，尤其適用于要求高透明度的光電設(shè)備和顯示技術(shù)。

溶劑萃取法（化學(xué)法）

以濕法冶金為基礎(chǔ)，通過P204萃取劑選擇性富集銦：

含銦物料經(jīng)硫酸浸出后，在pH=1.5-2.0條件下進(jìn)行三級逆流萃取，銦萃取率可達(dá)98%。

該工藝對低品位原料（含銦0.02%）適用性強(qiáng)，但存在試劑消耗大（硫酸用量2-3噸/噸銦）、廢水處理成本高的問題。

多種類回收技術(shù)如濕法冶金、火法冶金和物理分離法，提供了靈活的回收方式以適應(yīng)不同的廢物類型和規(guī)模需求。濕法冶金回收中，酸浸法通過使用鹽酸或硫酸來溶解ITO廢料，使得銦以In3?的形式進(jìn)入溶液。隨后，可以利用溶劑萃取、置換反應(yīng)（例如，使用鋅粉進(jìn)行置換）或電解法來進(jìn)一步回收銦。生物浸出法利用特定的微生物，如硫氧化，來選擇性溶解銦。雖然這種方法環(huán)保，但目前其效率相對較低，仍處在研究階段?；鸱ㄒ苯鸹厥罩?，高溫熔煉將含銦廢料與還原劑（例如焦炭）一同進(jìn)行高溫熔煉。在熔煉過程中，銦會富集在煙塵或熔渣中，隨后需要進(jìn)一步的二次處理來進(jìn)行提純。這種方法適用于大規(guī)模的回收操作，但能耗相對較高。

ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達(dá)90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設(shè)備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電導(dǎo)率高，確保了設(shè)備的運(yùn)行。