物理性質(zhì)

熔點(diǎn)與沸點(diǎn)：熔點(diǎn)為 156.6 ℃，沸點(diǎn)為 2075 ℃。

可塑性與延展性：具有優(yōu)良的可塑性、延展性，能夠無限制任意變形、壓成極薄的金屬片。

導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性：導(dǎo)電性約為銅的 1/5，熱膨脹系數(shù)幾乎超過銅的一倍。

其他：在氫氣或真空中加熱銦會發(fā)生升華，熔化的銦能夠潤濕干凈的玻璃，還具有超導(dǎo)性能、潤滑性能、耐磨性能、光透性。

化學(xué)性質(zhì)

與單質(zhì)反應(yīng)：銦在空氣中穩(wěn)定，加熱到熔點(diǎn)以上會氧化成 In?O?；能與硫在高溫加熱的條件下反應(yīng)，生成 InS 或 In?S?；室溫下能與氟、氯、溴反應(yīng)生成 InF?、InCl?、InBr?，加熱條件下與碘蒸氣發(fā)生反應(yīng)；能與氮?dú)庠诟邷叵路磻?yīng)；也能與釷、鈮、鉑等金屬發(fā)生反應(yīng)。

與無機(jī)化合物反應(yīng)：銦能與鹽酸、稀高氯酸、稀硝酸等反應(yīng)生成對應(yīng)的鹽和氫氣，與濃硝酸在加熱的條件下反應(yīng)生成硝酸銦、二氧化氮和水；能與過量的氫氧化鈉、氫氧化鉀反應(yīng)；還能與氯化銦、溴化汞、硫化銦、三氧化銦等鹵化物發(fā)生反應(yīng)。

與有機(jī)化合物反應(yīng)：銦能與烷基氯、烷基溴、烷基碘以及十羰基合二錳等有機(jī)化合物反應(yīng)。

半導(dǎo)體材料

化合物半導(dǎo)體：

磷化銦（InP）：用于制造 5G 基站的射頻器件、激光雷達(dá)（LiDAR）的發(fā)射器、光纖通信中的激光器和探測器，是光電子和高頻電子領(lǐng)域的核心材料。

砷化銦（InAs）、銻化銦（InSb）：用于紅外探測器、量子計(jì)算元件和高速集成電路。

集成電路封裝：

銦焊料（如銦 - 錫合金）因低熔點(diǎn)（約 156℃）、高可靠性和抗腐蝕性，用于芯片與基板的連接（如倒裝芯片技術(shù)），尤其在航空航天和軍工領(lǐng)域不可替代。

、其他前沿應(yīng)用

量子科技

銦原子用于量子計(jì)算中的離子阱技術(shù)，作為量子比特的載體。

航空航天

銦鍍層用于衛(wèi)星部件的抗氧化和抗腐蝕保護(hù)，或作為熱界面材料（TIM）傳導(dǎo)設(shè)備熱量。

紅外光學(xué)

硫化銦（In?S?）、硒化銦（In?Se?）用于紅外透鏡、窗口材料和熱成像儀。