良好的導(dǎo)電性：ITO 薄膜的電阻率可達(dá) 10??Ω?cm，具有較低的電阻和較高的載流子濃度，能夠有效地傳輸電流，滿足各種電子設(shè)備的導(dǎo)電需求。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度，但該工藝成本較為昂貴。

光伏技術(shù)領(lǐng)域：在太陽(yáng)能電池中，ITO 薄膜作為前電極材料，具有高透明性，能夠保證光線有效進(jìn)入吸收層，從而提升光電轉(zhuǎn)換效率，適用于 CIGS、CdTe 等薄膜太陽(yáng)能電池技術(shù)。

其他領(lǐng)域：在智能窗、透明發(fā)熱膜、紅外反射膜等領(lǐng)域也有應(yīng)用，滿足智能建筑和汽車工業(yè)中的透明導(dǎo)電需求。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產(chǎn) LCD、OLED 顯示面板的透明導(dǎo)電膜（如手機(jī)屏幕、電視面板）。

光伏領(lǐng)域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵原料，提升光電轉(zhuǎn)換效率。