微觀結(jié)構:銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間,密度高于 7.31g/cm3,熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上,這些技術參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。
純度分級:
4N 精銦:純度≥99.99%,主要用于普通電子元器件及靶材原料。
5N-6N 精銦:純度≥99.999%-99.9999%,用于高端半導體、光電材料等領域。
精銦的制備需經(jīng)過多步精煉,核心工藝包括:
原料預處理:以鋅冶煉副產(chǎn)物(如浸出渣、煙灰)或含銦廢料為原料,通過酸浸、萃取等方式初步分離銦。
電解精煉:將粗銦溶解為銦鹽溶液(如硫酸銦),通過電解沉積得到純度約 99.95% 的粗精銦。
深度提純:
真空蒸餾:在高真空條件下利用銦與雜質(zhì)的沸點差異(銦沸點 2080℃,雜質(zhì)如鋅沸點 907℃)去除低沸點雜質(zhì)。
區(qū)域熔煉:通過移動加熱區(qū)使雜質(zhì)在固液界面重新分布,多次操作后可將純度提升至 6N 以上。
化學提純:利用萃取劑(如三丁基氧化膦)或離子交換樹脂進一步去除微量金屬離子。
半導體與電子工業(yè)(占比約 25%):
焊料與封裝:利用銦的低熔點和延展性,作為半導體芯片的焊接材料(如倒裝焊、熱沉連接),可適應精密器件的高溫穩(wěn)定性需求。
化合物半導體:與鎵、砷等元素合成 InGaAs、InP 等化合物,用于 5G 芯片、激光器、探測器(如紅外成像器件)。