半導(dǎo)體領(lǐng)域：占比 28%，用于晶圓制造的金屬互聯(lián)層與鈍化層沉積，在第三代半導(dǎo)體器件制造中的滲透率持續(xù)攀升，如氮化鎵功率器件就需要使用銦靶。

光伏產(chǎn)業(yè)：占比 15%，應(yīng)用于薄膜太陽能電池的透明電極，如銅銦鎵硒（CIGS）薄膜電池、光伏異質(zhì)結(jié)電池（HJT）等，隨著這些電池技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程加速，對銦靶的需求也在不斷增加。

主要成分：通常由 90% 的氧化銦（In?O?）和 10% 的氧化錫（SnO?）組成，這一比例在實(shí)際應(yīng)用中能實(shí)現(xiàn)透明性和導(dǎo)電性的理想平衡。

外觀特性：在靶材形態(tài)下，顏色通常為淺黃色至淺綠色，而制成薄膜后則具有透明性。

熱等靜壓（HIP）工藝：在高溫和高壓環(huán)境下進(jìn)行燒結(jié)，能夠顯著提高材料的致密度，減少材料中的孔隙，改善材料的微觀結(jié)構(gòu)，使得 ITO 靶材具有更高的電導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度，但該工藝成本較為昂貴。