微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

粉末冶金法：將銦氧化物和錫氧化物粉末均勻混合，隨后進行預(yù)燒結(jié)，以獲得初步的靶材結(jié)構(gòu)。預(yù)燒結(jié)步驟通常在相對低溫下進行，目的是通過部分熔融促進粉末顆粒的結(jié)合，同時防止過早的晶粒長大。粉體粒徑分布的控制是該方法中的關(guān)鍵一環(huán)。

顯示技術(shù)領(lǐng)域：廣泛應(yīng)用于 LCD、OLED、AMOLED 等平板顯示器件中作為透明電極，確保顯示設(shè)備既能透光顯示圖像，又能導(dǎo)電傳輸信號。

合金與特殊材料（占比約 10%）：

銦錫合金：熔點低至 120℃，用于保險絲、牙科材料；銦鉛合金可作為核反應(yīng)堆的中子吸收材料。

銦箔與涂層：高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽（如 X 射線探測器），或作為耐腐蝕涂層（如海洋工程）。

科研與新興領(lǐng)域：

量子點顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術(shù)中，精銦作為高純原料用于薄膜沉積或材料合成。