微觀結構：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質量。

精銦的制備需經過多步精煉，核心工藝包括：

原料預處理：以鋅冶煉副產物（如浸出渣、煙灰）或含銦廢料為原料，通過酸浸、萃取等方式初步分離銦。

電解精煉：將粗銦溶解為銦鹽溶液（如硫酸銦），通過電解沉積得到純度約 99.95% 的粗精銦。

深度提純：

真空蒸餾：在高真空條件下利用銦與雜質的沸點差異（銦沸點 2080℃，雜質如鋅沸點 907℃）去除低沸點雜質。

區(qū)域熔煉：通過移動加熱區(qū)使雜質在固液界面重新分布，多次操作后可將純度提升至 6N 以上。

化學提純：利用萃取劑（如三丁基氧化膦）或離子交換樹脂進一步去除微量金屬離子。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產 LCD、OLED 顯示面板的透明導電膜（如手機屏幕、電視面板）。

光伏領域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽能電池的關鍵原料，提升光電轉換效率。

合金與特殊材料（占比約 10%）：

銦錫合金：熔點低至 120℃，用于保險絲、牙科材料；銦鉛合金可作為核反應堆的中子吸收材料。

銦箔與涂層：高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽（如 X 射線探測器），或作為耐腐蝕涂層（如海洋工程）。

科研與新興領域：

量子點顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術中，精銦作為高純原料用于薄膜沉積或材料合成。