從化學(xué)角度看，ITO是一種復(fù)合氧化物，其性能很大程度上取決于氧化銦和氧化錫的比例。氧化銦提供高透明度，而氧化錫的摻雜則增強了材料的導(dǎo)電性。通過控制這兩者的配比，ITO能夠在保持光學(xué)透明的同時，具備接近金屬的導(dǎo)電能力。這種“透明卻導(dǎo)電”的特性，使得ITO成為制造透明導(dǎo)電膜的理想選擇。

制造ITO靶材是一項技術(shù)密集型的工作，涉及從原料配比到成型加工的多個環(huán)節(jié)。高質(zhì)量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩(wěn)定性，而這些要求背后隱藏著復(fù)雜的工藝和諸多挑戰(zhàn)。

制備完成后，ITO靶材在實際應(yīng)用中還會遇到一些問題：

濺射不均勻：如果靶材內(nèi)部存在微小缺陷或成分偏差，濺射過程中可能出現(xiàn)局部過熱，導(dǎo)致薄膜厚度不一致。

靶材破裂：在高功率濺射時，靶材承受的熱應(yīng)力可能超出其極限，造成破裂，進而影響生產(chǎn)線的連續(xù)性。

資源限制：ITO靶材依賴銦這種稀有金屬，而銦的全球儲量有限，價格波動較大。這不僅推高了成本，也促使業(yè)界尋找替代方案。

ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導(dǎo)電薄膜材料制備的復(fù)合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質(zhì)量比例為90:10，這一比例在實際應(yīng)用中表現(xiàn)出較為理想的光電特性，使其在透明導(dǎo)電薄膜中廣泛應(yīng)用。